交流電壓操作:在交流或直流電壓下,或在直流組合下,您可以使用所有 HVC 薄膜電容器。成功應用的原則是:1)不要超過電介質的耐壓容量;2) 保持電容器冷卻;3)不要進行電暈操作。作為實際應用,以下是您如何使用這三個規則。
限制電壓峰值是額定直流電壓。限制容量的額定電流峰值與DV/DT額定值的乘積。用於高頻操作以限制功耗,使外殼溫升不超過15℃,同時外殼溫度不高於最高工作溫度。
對於規則 3,將外部電壓限制為每種類型的最大交流額定值以避免電暈。
電暈是絕緣系統中的絕緣系統,通過氣孔引起介質局部擊穿。它的發生伴隨著施加的交流電壓,因為孔的有效電容低於周圍的介電材料。由於串聯連接低值電容器,孔被更高的電壓梯度破壞。Corn Dizzy 是要避免的,因為火花會導致電介質碳化,將其轉化為導體材料,最終碳travo 被短路。
RC吸收/緩衝電路設計
浪湧吸收 是各種簡單的能量吸收電路,用於消除迴路電感引起的電壓尖峰-----當機械或半導體開關導通時。浪湧吸收的目的是消除開關導通時出現的瞬態電壓和振盪。
當開關導通時電流流過固有漏電感時,它恰好提供了一個可選電路。開關電源中的子吸收提供了以下三個重要功能中的一個或多個:
1)改變雙極轉換晶體管的載流線,使其保持在安全工作區;
2)從轉向晶體管中去除能量,消耗電阻中的能量以降低接頭溫度;
3) 減少開關管或整流二極管的振盪以限制峰值電壓,通過減少發射和降低其頻率來降低EMI
我們的DV / DT容量表可用於比較CDE浪湧吸收電容器和其他品牌。對於所有外科醫生吸收,DV/DT值可以承受DV/DT值,HPP型可以承受2000V/μs以上。對於高壓浪湧吸收器,HPFF 和 HPPS 類型可以處理超過 3,000 V/μs;HPMF 和 HPPM 類型,撤消超過 1000 V/μs。根據外殼長度查看數據表。
其他電容:這裡是電容選擇的最後一句話,幫助您進入單晶電容領域,在浪湧吸收器的使用中沒有規定,這部分也沒有規定。
要注意峰值電流和瞬態承載能力有限的類型和高K陶瓷類型,數量級為50至200 V / μs。滌綸的損耗是聚丙烯的15倍,滌綸只適用於低RMS電流或負債循環週期。同時,確保考慮電壓和溫度係數。儘管雲母或 DPP 型電容幾乎不受電壓和溫度的影響,但高 k 陶瓷電介質(如 Y5V)在室溫至 50°C(122°F)時會損失其容量的 1/4,從 0 到 50% . 在額定電壓期間可能會損失另外 1/4 的容量。
快速電路板吸收器設計:當功耗不是很重要時,有一種快速的方法來設計浪湧吸收器。計劃具有 2 瓦的碳質電阻。選擇電阻值,使相同的電流可以繼續流過而不會出現電壓過載,開關導通後電流轉向浪湧吸收器。測量或計算開關導通前流過開關的時間電流,開關導通前流過的時間電流。
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