電容是在正負偏差範圍內測量頻率在1 kHz±20 Hz(如果電容大於1微法拉則其測試頻率為120 Hz),測量溫度為25 oc±5°C的標準偏差為±10%。
耗散因數或 TANσ 是電容器 ESR 與其電抗之比。測量頻率在 1 kHz ± 20 Hz(如果測試頻率為 120 Hz 大於 1 微法拉,則測量溫度為 25 oc ± 5 °C,不大於規定值。
對額定電容器的絕緣電阻高於 0.25 至 0.5 顯微鏡,其變化取決於產品(MΩ•μF)從最小電阻值(MΩ)到最小電阻值(MΩ)的電容器。在100V DC電壓和25±5℃下2分鐘後,絕緣電阻不能小於RC產品或額定電阻值。
額定電壓是實際使用中最高工作溫度下的最大持續電壓。
介電強度是電容器在額定室溫下所能承受的最大峰值電壓。可以通過施加由 100 Ω 電壓指定的報價電壓值一分鐘來測量。例如,測量一個DPM型電容器,其額定電壓值為250V DC,介電強度為175%,介電強度要求用438V DC測試。
壽命測試:在最高額定溫度±3°C下,施加在電容器上的電壓為500或1000(+72,-2)小時的電壓。外觀無破損,電容值變化不超過±5%。絕緣電阻未降至初始限值的 50%。損失的損失不超過初始限制。
脈衝能力 是峰值電流能力。這個電容是由瞬時電流的完整性決定的,用DV/DT額定值表示,即最大允許電壓變化額定值(單位為V/μs)。峰值額定電流(AMPS)等於額定電容值(μF)與DV/DT額定值的乘積:Ipk=C(dV/dt)
使用偏差時的代碼如下:
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