電容是在正負偏差範圍內測量頻率在1 kHz±20 Hz（如果電容大於1微法拉則其測試頻率為120 Hz），測量溫度為25 oc±5°C的標準偏差為±10%。

耗散因數或 TANσ 是電容器 ESR 與其電抗之比。測量頻率在 1 kHz ± 20 Hz（如果測試頻率為 120 Hz 大於 1 微法拉，則測量溫度為 25 oc ± 5 °C，不大於規定值。

對額定電容器的絕緣電阻高於 0.25 至 0.5 顯微鏡，其變化取決於產品（MΩ•μF）從最小電阻值（MΩ）到最小電阻值（MΩ）的電容器。在100V DC電壓和25±5℃下2分鐘後，絕緣電阻不能小於RC產品或額定電阻值。

額定電壓是實際使用中最高工作溫度下的最大持續電壓。

介電強度是電容器在額定室溫下所能承受的最大峰值電壓。可以通過施加由 100 Ω 電壓指定的報價電壓值一分鐘來測量。例如，測量一個DPM型電容器，其額定電壓值為250V DC，介電強度為175%，介電強度要求用438V DC測試。

壽命測試：在最高額定溫度±3°C下，施加在電容器上的電壓為500或1000（+72，-2）小時的電壓。外觀無破損，電容值變化不超過±5%。絕緣電阻未降至初始限值的 50%。損失的損失不超過初始限制。

脈衝能力 是峰值電流能力。這個電容是由瞬時電流的完整性決定的，用DV/DT額定值表示，即最大允許電壓變化額定值（單位為V/μs）。峰值額定電流（AMPS）等於額定電容值（μF）與DV/DT額定值的乘積：Ipk=C(dV/dt) 

使用偏差時的代碼如下：